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伴随着Daydream的到来，移动VR渐入佳境，正有条不紊的沿着一条正确的道路向前迈进。不过，还有几个难题在严重桎梏着它的发展，比如运算性能、比如功耗控制。而且这些难题显然不是VR公司能够解决的，这还得需要上游芯片厂商从源头改进。
现在好消息终于来了，乐观点估计，明年的移动VR不仅性能更强，功耗控制的更好，同时“充电5分钟体验2小时”这种此前想都不敢想的事情，或许也能实现。
昨天晚上，高通正式公布了全新旗舰款处理器骁龙835，其将采用三星10nm LPE（low-power early，早起低功耗版本）FinFET工艺，相较于14nm FinFET工艺的骁龙820/821，在体积方面将缩小30%以上，功耗降低40%的情况下，性能提升27%。制程工艺从此由14nm迈入崭新的10nm时代，这是一个相当不错的开始。
高通正式宣布新旗舰骁龙835事实上，就智能手机而言，主流处理器的性能足以满足绝大部分使用需求，甚至可以说过剩，比如说我们自己或者总有些朋友还在使用搭载骁龙805或者810这些型号处理器的手机产品，但完全是够用的。这跟Intel或者AMD的主流桌面级处理器的状态很相似，运算性能早已不是大问题。不过，在移动VR兴起之后，对处理器的运算性能提出了更高的要求，也让像高通这样的上游芯片厂商有足够的动力去研发更优秀的产品。更强的运算性能意味着可以运行更复杂的游戏或者应用，更好的功耗控制则预示着更长的续航时间和更好的发热控制。
当然，高通骁龙835带给移动VR的变革还不仅于此，别忘了，还有最新的快速充电技术——QC（Quick Charge）4.0。
按照高通官方的说法，QC 4.0加入了Dual Charge技术，相比QC 3.0来说，充电速度可提升20%，效率则能提升30%。高通产品管理高级副总裁Alex Katouzian也表示，QC 4.0能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。不仅如此，QC 4.0还加入了最佳电压智能协商电源管理算法(INOV)，能够在既定的散热条件下，自主确定并选择最佳的电力传输水平，从而优化充电。
另一方面，QC 4.0能在更准确地测量电压、电流和温度的同时，保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电，并在每个充电周期调节电流。
为了配合QC 4.0，高通还推出了最新的电源管理芯片SMB1380和SMB1381。SMB1380和SMB1381具有低阻抗、高达95%的峰值效率和先进的快充特性(例如电池差分感知)，可经由任何5V USB Type-C或高压电源通过高度不到0.8毫米的充电解决方案组合，为超薄的移动终端提供最快的电池充电。更好的消息在于，SMB1380/1381电源管理芯片预计在今年年底之前就开始提供。
高通并没有公布更多骁龙835处理器的细节，但却表示，目前这款处理器已经投入生产，预计将会在2017年上半年正式上市。不出意外的话，骁龙835将会成为明年上半年Android旗舰手机的标配。至于哪家厂商能够拔得头筹，或许不久之后的CES以及MWC上就能有点眉目。当然，我们更关注哪家VR一体机厂商会率先推出基于高通骁龙835解决方案的新品。
高通新旗舰骁龙835处理器
对于手机而言，“充电5分钟，通话2小时”这句耳熟能详的广告词，在明年可能会升级成“充电5分钟，通话5小时”。而对于移动VR来说，充电5分钟体验2小时，也将迈出从“完全不可能”到“很有可能”的重要一步。
最后，简单总结一下，高通全新骁龙835处理器会给移动VR带来的变革。
1、更强的运算性能，更多大型复杂场景的内容将出现在移动VR上面，移动VR和PC VR/主机VR在体验上的差距将被拉近;
2、更好的功耗控制，不管是续航问题，还是发热问题，都能得到更好的解决(对VR一体机而言，没准被动式散热方案会全面取代主动式散热方案);
3、更高效的充电，这意味着不用过分担心因为体验VR而让手机迅速掉电，从而导致暂时无法使用的尴尬，对于VR一体机来说，将在很大程度上缓解充电等待时间过长的问题;
4、其他方面的惊喜，或许还会有基于VR的更多优化，我们不妨耐心等待高通公布更多的细节。
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