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据了解，台积电3nm工艺制程拥有N3、N3B和N3E等多个节点。据悉，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，不过仍比5nm的N5制程节点要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和产量。作为3nm简化版的N3E节点，量产节点可能提前到2023年上半年。
台积电3nm制程工艺或将量产 相比5nm提高60%
作者：中关村在线 来源： 中关村在线 2022-03-06 20:11 阅读( )
据海外媒体techpowerup报道，台积电正在积极推进3nm工艺制程的量产计划，预计将在2022下半年至2023年上半年之间实现3nm工艺制程的量产。
据了解，台积电3nm工艺制程拥有N3、N3B和N3E等多个节点。据悉，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，不过仍比5nm的N5制程节点要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和产量。作为3nm简化版的N3E节点，量产节点可能提前到2023年上半年。
据了解，台积电3nm工艺制程拥有N3、N3B和N3E等多个节点。据悉，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，不过仍比5nm的N5制程节点要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和产量。作为3nm简化版的N3E节点，量产节点可能提前到2023年上半年。
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