三星电子:计划未来10年投资1160亿美元研发非内存芯片

作者:PingWest品玩 来源: PingWest品玩 2019-04-25 09:20 阅读(

  导读:三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元(1160亿美元),以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器(非内存芯片研发和生产基础设施)方面在全球的领先地位,加快对全球半导体行业的控制。

三星电子:计划未来10年投资1160亿美元研发非内存芯片

  4月25日,据彭博社消息,三星电子计划在未来10年左右投资133万亿韩元(1160亿美元),以取代英特尔和高通在制造先进芯片处理器(非内存芯片研发和生产基础设施)方面在全球的领先地位,加快对全球半导体行业的控制。三星目前在从服务器到智能手机的存储芯片市场处于领先地位,它计划在2030年前加大对半导体的投资,创造15000个生产和研究工作岗位。

  今年3月,三星公布第三季度的营业利润下降了60%。这至少部分与DRAM和NAND内存的价格暴跌以及智能手机销量的下滑有关。因此三星准备投入巨资1160亿美元,以确保其为下一代芯片的发展做好准备,其中国内研发投入约640亿美元,生产基础设施投入520亿美元。三星在一份声明中说:“这项投资计划有望帮助三星在2030年实现逻辑芯片领域成为世界领先者的目标。”

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